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STP23NM60ND中文资料

STP23NM60ND图片

STP23NM60ND外观图

  • 大小:1103KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220
  • 其它有关文件:STP23NM60ND View All Specifications
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:FDmesh™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:19.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2050pF @ 50V
  • 功率 - 最大:150W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-8445-5

STP23NM60ND供应商

更新时间:2023-01-02 04:44:40
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